紅外探傷儀檢測(cè)報(bào)告如何辦理？測(cè)試哪些項(xiàng)目呢？檢測(cè)費(fèi)用價(jià)格是多少呢？下面小編為您解答。百檢也可依據(jù)相應(yīng)紅外探傷儀檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)或者根據(jù)您的需求設(shè)計(jì)檢測(cè)方案?！驹斍樽稍儯?32-6275-2056】。做檢測(cè)，上百檢！我們只做真實(shí)檢測(cè)。
檢測(cè)周期
一般3-15個(gè)工作日，可加急。
檢測(cè)方式
可寄樣檢測(cè)、目測(cè)檢測(cè)、見(jiàn)證試驗(yàn)、現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)等。
檢測(cè)費(fèi)用
具體根據(jù)紅外探傷儀檢測(cè)檢測(cè)數(shù)量和項(xiàng)目而定。詳情請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服。
檢測(cè)產(chǎn)品
0紅外探傷儀簡(jiǎn)介
在特定光源和紅外探測(cè)器的協(xié)助下，HS-NIR-01型紅外探傷測(cè)試儀能夠穿透200mm深度的硅塊，純硅料幾乎不吸收這個(gè)波段的波長(zhǎng)，但是如果硅塊里面有微粒、夾雜(通常為SiC)、隱裂，則這些雜質(zhì)將吸收紅外光，因此在成像系統(tǒng)中將呈現(xiàn)出來(lái)，而且這些圖像將通過(guò)我們的軟件自動(dòng)生成三維模型圖像。
1紅外探傷儀部分技術(shù)參數(shù)
■主要探測(cè)指標(biāo)：夾雜（通常為SiC），隱裂，微粒等
■硅塊電阻率：≥0.8Ohm*Cm（推薦）
■檢測(cè)時(shí)間：平均每個(gè)硅塊1分鐘
■探測(cè)深度：200mm
■外框和箱體
>尺寸：143x53x55
>外框采用數(shù)控工程鋁合金
>外框是覆蓋靜電強(qiáng)力漆鋁面板
>主機(jī)重量：98 kg
>附件重量：25 kg
■旋轉(zhuǎn)臺(tái)
>采用單軸伺服電機(jī)
>承載量:40kg
> 具有過(guò)流保護(hù)以防止損傷和電機(jī)燒毀
>無(wú)步進(jìn)損失，高分辨率解碼機(jī)器
■紅外光源
>高強(qiáng)度NIR鹵燈，273mm加熱波長(zhǎng)
>功率：230V, 1000W
>溫度：25-60攝氏度
>光強(qiáng)可通過(guò)軟件控制
>軟件具有過(guò)熱保護(hù)
■觀測(cè)儀
>采用紅外CCD控溫
>12位ADC
> 頻率：60Hz和100Hz兩個(gè)選擇
>像素間距: 30μm
>分辨率：: 320x256 像素
>可手動(dòng)調(diào)節(jié)紅外鏡頭
2紅外探傷儀儀器特點(diǎn)
■為太陽(yáng)能多晶硅片過(guò)程中的質(zhì)量控制提供了強(qiáng)大的監(jiān)測(cè)工具
■檢測(cè)速度快，平均每個(gè)硅塊檢測(cè)時(shí)間為不超過(guò)1分鐘
■NIRVision軟件能夠分析4面探傷結(jié)果，并且直接將結(jié)果轉(zhuǎn)換成三維模型圖像
■成像過(guò)程將自動(dòng)標(biāo)出夾雜的位置所在
■獨(dú)特的加強(qiáng)型內(nèi)插法為高分辨率的雜質(zhì)探傷功能提供了強(qiáng)大的技術(shù)保障
■采用歐洲數(shù)控工程鋁合金材料
■表面都采用了高強(qiáng)度漆面和電氧化工藝保護(hù)
■系統(tǒng)外框采用高質(zhì)量工業(yè)設(shè)計(jì)
■所有的部件的設(shè)計(jì)都達(dá)到了長(zhǎng)期高強(qiáng)度使用及較小維護(hù)量的要求
■能夠通過(guò)自動(dòng)或手動(dòng)旋轉(zhuǎn)對(duì)硅塊的前后左右四面和上下兩面進(jìn)行全面探傷。
■紅外光源通過(guò)交直流光源進(jìn)行控制，光強(qiáng)可以通過(guò)軟件直接控制，同時(shí)它具有過(guò)熱保護(hù)功能
■同時(shí)軟件包含了雜質(zhì)圖像的管理分析功能
■穩(wěn)定性和耐用性俱佳。
■探傷測(cè)試面進(jìn)行拋光處理，因此我們推薦在線切割之前進(jìn)行紅外探傷
■紅外成像光源受電阻率影響，硅塊電阻率越低，則對(duì)紅外光的吸收越多
■一般電阻率不能低于0.5Ohm*Cm,我們推薦的電阻率在0.8Ohm*Cm以上
3紅外探傷儀工作原理
多晶硅紅外探傷測(cè)試儀主要由紅外光源，旋轉(zhuǎn)臺(tái)，成像系統(tǒng)構(gòu)成。成像系統(tǒng)的參數(shù)設(shè)置包括光照亮度，對(duì)比度，伽馬射線和一體化的時(shí)間設(shè)置，獲取模式選擇和損壞像素管理。旋轉(zhuǎn)臺(tái)由單軸伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)，同時(shí)擁有光電編碼器的位置檢查的功能。軟件也可以直接控制伺服電機(jī)。
通常都是在硅塊清洗處理后線切割前進(jìn)行紅外探傷，在線切割前進(jìn)行紅外探傷不僅可以減少線痕片，而且可以減少SiC斷線，大大提高效益，這些夾雜都可以清晰地反映在我們的紅外探傷系統(tǒng)中。斷線的修復(fù)是一個(gè)費(fèi)時(shí)費(fèi)力的工作，同時(shí)不是所有的斷線都能夠成功。因此它是多晶硅片生產(chǎn)中不可或缺的工具。
4紅外探傷儀儀器簡(jiǎn)介
紅外探傷測(cè)試儀是專門用于多晶硅片生產(chǎn)中的硅塊硅棒硅片的裂縫、雜質(zhì)、黑點(diǎn)、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器。
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檢測(cè)流程步驟
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