硅光芯片耦合測試項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)有哪些?檢測實(shí)驗(yàn)室可根據(jù)GB/T 36356-2018 功率半導(dǎo)體發(fā)光二*管芯片技術(shù)規(guī)等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)制定試驗(yàn)方案。對樣品的工作耦合性能測試、貯存溫度、工作環(huán)境溫度等項(xiàng)目進(jìn)行檢測分析。并出具嚴(yán)謹(jǐn)公正的檢測報(bào)告。

檢測項(xiàng)目：

耦合性能測試、貯存溫度、工作環(huán)境溫度、結(jié)溫、焊接溫度、反向電壓、環(huán)境溫度為25 ℃下的直流正向電流、環(huán)境溫度為25℃下的峰值正向電流、靜電敏感電壓、正向電壓、反向電流、光功率、光通量、主波長、峰值發(fā)射波長、鍵合強(qiáng)度、剪切力、溫度循環(huán)、循環(huán)濕熱、恒定加速度、電耐久性、靜電放電敏感度等。

適用范圍

硅光收發(fā)芯片、模擬集成電路芯片、數(shù)字集成電路芯片、混合信號集成電路芯片等。

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檢測流程步驟

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