微電子材料檢測(cè)報(bào)告如何辦理？測(cè)試哪些項(xiàng)目？測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有哪些？百檢也可依據(jù)相應(yīng)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)或者根據(jù)您的需求設(shè)計(jì)檢測(cè)方案。我們只做真實(shí)檢測(cè)。

檢測(cè)項(xiàng)目：

半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度、少子壽命、工業(yè)硅中雜質(zhì)元素含量、晶向、晶片彎曲度、晶片翹曲度、電阻率與摻雜劑濃度換算、砷化鎵單晶AB微缺陷、砷化鎵單晶EL2濃度、砷化鎵單晶位錯(cuò)密度、砷化鎵和磷化銦材料霍爾系數(shù)、砷化鎵材料雜質(zhì)均勻性、砷化鎵材料雜質(zhì)濃度、砷化鎵材料熱穩(wěn)定性、砷化鎵材料霍爾遷移率、電阻率均勻性、砷化鎵材料霍爾遷移率和電阻率的均勻性、硅單晶完整性、硅單晶電阻率、硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層的電阻、硅外延層厚度、硅外延層晶體完整性、硅多晶斷面夾層、硅拋光片氧化誘生缺陷、硅拋光片表面質(zhì)量、硅晶體中氧含量、硅晶體中碳含量、硅晶體中間隙氧含量徑向變化、硅材料缺陷、硅片厚度和總厚度變化、硅片電阻率、硅片直徑測(cè)量、硼含量、碳化硅單晶拋光片表面粗糙度、碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量、碳化硅單晶片厚度和總厚度變化、碳化硅單晶片微管密度、碳化硅單晶片直徑、磷化銦位錯(cuò)、鍺單晶位錯(cuò)、霍爾系數(shù)、砷化鎵材料霍爾遷移率、硅外延層電阻、光伏電池用硅材料表面金屬雜質(zhì)含量、多晶硅表面金屬、導(dǎo)電類(lèi)型、徑向電阻率變化

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：

1、SJ/T 11503-2015 碳化硅單晶拋光片表面粗糙度的測(cè)試方法

2、GB/T4326-2006 非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法

3、GB/T 30866-2014 碳化硅單晶片直徑測(cè)試方法

4、GB/T 1557-2006 硅晶體中氧含量

5、GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測(cè)定方法

6、GB/T 14142-2017 硅外延層晶體完整性檢查方法 腐蝕法

7、GB/T 13389-2014 摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

8、GB/T6620-2009 硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

9、GB/T 14847-2010 重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法

10、GB/T1555-2009 半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

11、GB/T30868-2014 碳化硅單晶片微管密度的測(cè)定 化學(xué)腐蝕法

12、GB/T 14140-2009 硅片直徑測(cè)量方法

13、GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定 直排四探針?lè)?

14、GB/T30453-2013 硅材料原生缺陷圖譜

15、GB/T30867-2014 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

16、GB/T19199-2015 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法

17、GJB 1927-1994 砷化鎵單晶材料測(cè)試方法 GJB 1927-1994

18、GB/T6618-2009 硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

19、GB/T1554-2009 硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

20、GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗(yàn)方法

檢測(cè)報(bào)告用途

商超入駐、電商上架、內(nèi)部品控、招投標(biāo)、高校科研等。

檢測(cè)報(bào)告有效期

一般檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測(cè)報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。常規(guī)來(lái)說(shuō)只要測(cè)試沒(méi)更新，測(cè)試不變檢測(cè)報(bào)告一直有效。如果是用于過(guò)電商平臺(tái)，一般他們只認(rèn)可一年內(nèi)的。所以還要看平臺(tái)或買(mǎi)家的要求。

檢測(cè)費(fèi)用價(jià)格

因測(cè)試項(xiàng)目及實(shí)驗(yàn)復(fù)雜程度不同，具體請(qǐng)聯(lián)系客服確定后進(jìn)行報(bào)價(jià)。

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。