GB/T 33886—2017 無損檢測儀器工業(yè)電子內(nèi)窺鏡檢測儀標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容是什么?檢測報(bào)告如何辦理呢?百檢為您提供一站式的檢測服務(wù)。
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GB/T 33886—2017.
1范圍
GB/T 33886規(guī)定了工業(yè)電子內(nèi)窺鏡檢測儀(以下簡稱電子內(nèi)窺鏡)的命名,技術(shù)要求,試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則.標(biāo)志.使用說明書.包裝、運(yùn)輸和貯存。
GB/T 33886適用于工業(yè)電子內(nèi)窺鏡檢測儀。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其較新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
GB/T 191包裝儲運(yùn)示標(biāo)志
GB/T 9969工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則
GB/T 12085.1光學(xué)和光學(xué)儀器環(huán)境試驗(yàn)方法第1部分r術(shù)語、試驗(yàn)范圍GB/T 13384―機(jī)電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件
3術(shù)語和定義
GB/T 12085.1界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。
3.1
成像器件imaging device-
將像光信號轉(zhuǎn)換成電信號的光電傳感器。目前主要分為CCD和CMOS兩大類。
3.2
電荷藕合器件charge coupled device;CCD
一種利用電荷耦合技術(shù)制作的,將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的電子器件。
3.3
互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體complementary metal oxide semiconductor;CMOs
一種半導(dǎo)體技術(shù),可以將成對的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)集成在一塊硅片上。其各種參數(shù)的設(shè)定,要使用專門的程序。
3.4
工業(yè)電子內(nèi)窺鏡檢測儀industrial electronic endoscopic detector
成像器件將物鏡系統(tǒng)生成的像信息轉(zhuǎn)換成電信號并通過屏幕顯示。由此,用于工業(yè)領(lǐng)域?qū)Ρ粰z測物體內(nèi)表面進(jìn)行檢測的儀器。
3.5
分辨力resolution
系統(tǒng)終端像所具有解析觀察目標(biāo)細(xì)節(jié)的能力。
《GB/T 33886—2017 無損檢測儀器工業(yè)電子內(nèi)窺鏡檢測儀》標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容僅部分展示,如果您有相關(guān)需求請致電百檢網(wǎng)咨詢。
檢測流程步驟
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