- N +

SJ 20176-1992《半導(dǎo)體分立器件 3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反壓晶體管詳細(xì)規(guī)范》

檢測報(bào)告圖片樣例

SJ 20176-1992《半導(dǎo)體分立器件 3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反壓晶體管詳細(xì)規(guī)范》基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號:

SJ 20176-1992

中文名稱:

《半導(dǎo)體分立器件 3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反壓晶體管詳細(xì)規(guī)范》

發(fā)布日期:

1992-11-19

實(shí)施日期:

1993-05-01

發(fā)布部門:

中國電子工業(yè)總公司

提出單位:

中國電子工業(yè)總公司科技質(zhì)量局

歸口單位:

中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所

起草單位:

中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所和國營八二三一廠

起草人:

王長福、吳鑫奎、龔云

中國標(biāo)準(zhǔn)分類號:

D01技術(shù)管理

SJ 20176-1992《半導(dǎo)體分立器件 3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反壓晶體管詳細(xì)規(guī)范》介紹

中國電子工業(yè)總公司于1992年發(fā)布了《半導(dǎo)體分立器件 3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反壓晶體管詳細(xì)規(guī)范》(以下簡稱"SJ 20176-1992標(biāo)準(zhǔn)"),并于1993年5月1日起正式實(shí)施。

一、技術(shù)要求

1、外觀質(zhì)量

晶體管的外觀應(yīng)無裂紋、無明顯變形,表面應(yīng)清潔、無油污、無銹蝕,引腳應(yīng)無折斷、無彎曲。

2、電性能參數(shù)

晶體管的電性能參數(shù)應(yīng)滿足標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求,包括集電極-發(fā)射極擊穿電壓、集電極電流、電流放大系數(shù)等。

3、溫度特性

晶體管在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)應(yīng)具有良好的溫度特性,包括溫度系數(shù)、溫度穩(wěn)定性等。

4、可靠性

晶體管應(yīng)具有良好的可靠性,包括長時(shí)間工作穩(wěn)定性、抗靜電能力等。

二、試驗(yàn)方法

1、外觀檢查

對晶體管的外觀進(jìn)行目視檢查,以確保其滿足外觀質(zhì)量要求。

2、電性能測試

對晶體管的電性能參數(shù)進(jìn)行測試,以評估其性能是否符合標(biāo)準(zhǔn)要求。

3、溫度特性測試

對晶體管在不同溫度下的性能進(jìn)行測試,以評估其溫度特性。

4、可靠性測試

對晶體管進(jìn)行長時(shí)間工作、抗靜電等可靠性測試,以評估其可靠性。

三、檢驗(yàn)規(guī)則

1、檢驗(yàn)分類

晶體管的檢驗(yàn)分為型式檢驗(yàn)和出廠檢驗(yàn)。

2、抽樣規(guī)則

對晶體管進(jìn)行抽樣檢驗(yàn),以評估其整體質(zhì)量。

3、合格判定

根據(jù)檢驗(yàn)結(jié)果,對晶體管進(jìn)行合格判定。

四、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲存

1、標(biāo)志

晶體管應(yīng)有清晰的型號、規(guī)格、生產(chǎn)日期等標(biāo)志。

2、包裝

晶體管的包裝應(yīng)符合標(biāo)準(zhǔn)要求,以保護(hù)晶體管在運(yùn)輸過程中不受損壞。

3、運(yùn)輸

晶體管在運(yùn)輸過程中應(yīng)避免劇烈震動(dòng)、高溫等不利因素。

4、儲存

晶體管應(yīng)儲存在干燥、通風(fēng)、無腐蝕性氣體的環(huán)境中。

檢測流程步驟

檢測流程步驟

溫馨提示:以上內(nèi)容僅供參考使用,更多檢測需求請咨詢客服。

返回列表
上一篇:QB/T 4895-2015《載帶封裝用紙板》
下一篇:JB/T 11137-2011《鋰離子蓄電池總成通用要求》