SJ 20013-1992《半導體分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ級ＣＳ１０型硅Ｎ溝道耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范》基本信息

標準號：

SJ 20013-1992

中文名稱：

《半導體分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ級ＣＳ１０型硅Ｎ溝道耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范》

發(fā)布日期：

1992-02-01

實施日期：

1992-05-01

發(fā)布部門：

中國電子工業(yè)總公司

提出單位：

中國電子工業(yè)總公司科技質(zhì)量局

歸口單位：

中國電子技術標準化研究所

起草單位：

中國電子技術標準化研究所

起草人：

王長福、吳志龍、張宗國、劉美英

中國標準分類號：

A01技術管理

SJ 20013-1992《半導體分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ級ＣＳ１０型硅Ｎ溝道耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范》介紹

SJ 20013-1992《半導體分立器件 GP、GT和GCT級CS10型硅N溝道耗盡型場效應晶體管詳細規(guī)范》是中國電子工業(yè)總公司于1992年2月1日發(fā)布的一項重要標準。自1992年5月1日起，該標準正式實施。

一、標準內(nèi)容

1、產(chǎn)品分類

標準將硅N溝道耗盡型場效應晶體管分為GP、GT和GCT三個等級，以滿足不同應用場景的需求。

2、技術要求

標準對硅N溝道耗盡型場效應晶體管的技術要求進行了嚴格規(guī)定，包括器件的電氣特性、溫度特性、機械特性等。電氣特性主要包括器件的漏電流、輸入電容、輸入電阻、輸出電阻、開關速度等參數(shù)。溫度特性主要涉及器件在不同溫度范圍內(nèi)的工作性能，以確保器件在各種環(huán)境條件下的可靠性。機械特性包括器件的尺寸、重量、封裝形式等，以滿足不同安裝和使用需求。

3、測試方法

標準規(guī)定了硅N溝道耗盡型場效應晶體管的測試方法，包括電氣特性測試、溫度特性測試和機械特性測試等，以確保產(chǎn)品符合技術要求。

4、檢驗規(guī)則

標準對硅N溝道耗盡型場效應晶體管的檢驗規(guī)則進行了規(guī)定，包括出廠檢驗、型式檢驗和周期檢驗等，以確保產(chǎn)品質(zhì)量。

5、標志、包裝、運輸和貯存

標準對硅N溝道耗盡型場效應晶體管的標志、包裝、運輸和貯存也進行了詳細規(guī)定，以保證產(chǎn)品在流通過程中的完整性和安全性。

二、標準的意義

SJ 20013-1992標準的制定和實施，對于規(guī)范半導體分立器件的生產(chǎn)和應用、提高產(chǎn)品質(zhì)量、促進行業(yè)發(fā)展具有重要意義。通過嚴格執(zhí)行該標準，相關企業(yè)可以生產(chǎn)出更高質(zhì)量、更可靠的硅N溝道耗盡型場效應晶體管產(chǎn)品，滿足市場需求，提升競爭力。

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。