YS/T 14-2015《異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測量方法》基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：

YS/T 14-2015

中文名稱：

《異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測量方法》

發(fā)布日期：

2015-04-30

實施日期：

2015-10-01

發(fā)布部門：

工業(yè)和信息化部

YS/T 14-2015《異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測量方法》介紹

工業(yè)和信息化部于2015年4月30日發(fā)布了《異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測量方法》（YS/T 14-2015）標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)自2015年10月1日起正式實施，為硅基材料的生產(chǎn)和檢測提供了重要的參考和指導(dǎo)。

一、測量原理

YS/T 14-2015標(biāo)準(zhǔn)采用光譜反射率法進(jìn)行異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測量。通過測量樣品表面的光譜反射率，結(jié)合材料的光學(xué)性質(zhì)和厚度與反射率之間的關(guān)系，可以計算出樣品的厚度。

二、測量儀器

YS/T 14-2015標(biāo)準(zhǔn)對測量儀器提出了具體要求。測量儀器應(yīng)包括光源、單色儀、探測器、樣品臺等組成部分，能夠?qū)悠返墓庾V反射率進(jìn)行精確測量。同時，測量儀器的穩(wěn)定性、重復(fù)性和準(zhǔn)確性也應(yīng)滿足標(biāo)準(zhǔn)要求。

三、測量步驟

YS/T 14-2015標(biāo)準(zhǔn)對測量步驟進(jìn)行了詳細(xì)的規(guī)定。需要對樣品表面進(jìn)行清潔和平整處理，以保證測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。然后，將樣品放置在樣品臺上，調(diào)整光源和探測器的位置，使其與樣品表面垂直。接下來，通過單色儀對樣品的光譜反射率進(jìn)行測量，記錄不同波長下的反射率值。根據(jù)測量結(jié)果和材料的光學(xué)性質(zhì)，利用數(shù)學(xué)模型計算出樣品的厚度。

四、數(shù)據(jù)處理

YS/T 14-2015標(biāo)準(zhǔn)對數(shù)據(jù)處理提出了具體要求。需要對測量數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理，包括濾波、去噪等操作，以提高數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。然后，根據(jù)材料的光學(xué)性質(zhì)和厚度與反射率之間的關(guān)系，利用數(shù)學(xué)模型對數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，計算出樣品的厚度。對計算結(jié)果進(jìn)行分析和評估，以確保測量結(jié)果的可靠性。

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。