檢測報告圖片
第三方檢測報告有效期
一般檢測報告上會標(biāo)注實驗室收到樣品的時間、出具報告的時間。檢測報告上不會標(biāo)注有效期。
紫外光電子能譜制樣檢測報告如何辦理？檢測項目及標(biāo)準(zhǔn)有哪些？百檢第三方檢測機構(gòu)，嚴(yán)格按照紫外光電子能譜制樣檢測相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測試和評估。做檢測，找百檢。我們只做真實檢測。
涉及紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)有72條。
國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，紫外光電子能譜 制樣涉及到分析化學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)、電和磁的測量、光學(xué)和光學(xué)測量、物理學(xué)、化學(xué)、電工和電子試驗、無損檢測、有色金屬、電子元器件綜合。
在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，紫外光電子能譜 制樣涉及到基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、綜合測試系統(tǒng)、電子光學(xué)與其他物理光學(xué)儀器、、化學(xué)、化學(xué)助劑基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、光學(xué)測試儀器、貴金屬及其合金、重金屬及其合金、標(biāo)準(zhǔn)化、質(zhì)量管理。
國家市場監(jiān)督管理總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 41072-2021表面化學(xué)分析 電子能譜 紫外光電子能譜分析指南
GB/T 41064-2021表面化學(xué)分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析濺射速率的方法
GB/T 41073-2021表面化學(xué)分析 電子能譜 X射線光電子能譜峰擬合報告的基本要求
GB/T 36401-2018表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜 薄膜分析結(jié)果的報告
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 33502-2017表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜（XPS）數(shù)據(jù)記錄與報告的規(guī)范要求
國家質(zhì)檢總局，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
GB/Z 32490-2016表面化學(xué)分析X射線光電子能譜確定本底的程序
GB/T 31472-2015X光電子能譜中荷電控制和荷電基準(zhǔn)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)指南
GB/T 31470-2015俄歇電子能譜與X射線光電子能譜測試中確定檢測信號對應(yīng)樣品區(qū)域的通則
GB/T 30702-2014表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜和X射線光電子能譜 實驗測定的相對靈敏度因子在均勻材料定量分析中的使用指南
GB/T 30704-2014表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜 分析指南
GB/T 29556-2013表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜和X射線光電子能譜 橫向分辨率、分析面積和分析器所能檢測到的樣品面積的測定
GB/T 28893-2012表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X射線光電子能譜.測定峰強度的方法和報告結(jié)果所需的信息
GB/T 28892-2012表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜.選擇儀器性能參數(shù)的表述
GB/T 28633-2012表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜.強度標(biāo)的重復(fù)性和一致性
GB/T 28632-2012表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X射線光電子能譜.橫向分辨率測定
GB/T 25188-2010硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測量 X射線光電子能譜法
GB/T 25185-2010表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜.荷電控制和荷電校正方法的報告
GB/T 19500-2004X射線光電子能譜分析方法通則
國際電工委員會，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
IEC TS 62607-6-21:2022納米制造.關(guān)鍵控制特性.第6-21部分:石墨烯基材料.元素組成 C/O比:X射線光電子能譜
IEC TS 62607-6-21-2022納米制造.關(guān)鍵控制特性.第6-21部分:石墨烯基材料.元素組成 C/O比:X射線光電子能譜
國際標(biāo)準(zhǔn)化組織，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
ISO 17109:2022表面化學(xué)分析.深度剖面.用單層和多層薄膜在X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中測定濺射速率的方法
ISO 22581:2021表面化學(xué)分析X射線光電子能譜測量掃描的近實時信息含碳化合物表面污染的識別和校正規(guī)則
ISO 10810:2019表面化學(xué)分析 - X射線光電子能譜分析指南
ISO 20903:2019表面化學(xué)分析 - 俄歇電子光譜和X射線光電子能譜 - 用于確定峰值強度的方法和報告結(jié)果時所需的信息
ISO 16129:2018表面化學(xué)分析 - X射線光電子能譜 - 評估X射線光電子能譜儀日常性能的方法
ISO 14701:2018表面化學(xué)分析 - X射線光電子能譜 - 氧化硅厚度的測量
ISO 19668:2017表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜學(xué).均勻材料中元素檢測極限的估算和報告
ISO 15470:2017表面化學(xué)分析. X射線光電子能譜. 選擇儀器性能參數(shù)說明
ISO 18554:2016表面化學(xué)分析. 電子光譜. 采用X射線光電子能譜分析法對材料進(jìn)行分析的X射線的意外降解的識別, 評估和修正程序
ISO 19830:2015表面化學(xué)分析. 電子能譜. X射線光電子能譜峰擬合的*低報告要求
ISO 17109:2015表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
ISO 13424:2013表面化學(xué)分析——X射線光電子能譜；薄膜分析結(jié)果的報告
ISO 16531:2013表面化學(xué)分析.深度剖析.原子發(fā)射光譜(AES)和光電子能譜(XPS)中深度剖析用電流或電流密度的離子束校正和相關(guān)測量方法
ISO 16243:2011表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜術(shù)(XPS)的記錄和報告數(shù)據(jù)
ISO 14701:2011表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜.二氧化硅厚度的測量
ISO 10810:2010表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜學(xué).分析導(dǎo)則
ISO/TR 19319:2003表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X射線光電子能譜.分析員對橫向分辨率、分析區(qū)域和樣品區(qū)域的目視檢測
中國團體標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
T/ZSA 39-2020石墨烯測試方法 功函數(shù)的測定 紫外光電子能譜法
T/ZGIA 002-2020石墨烯測試方法功函數(shù)的測定紫外光電子能譜法
美國材料與試驗協(xié)會，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
ASTM E2735-14(2020)用于選擇X射線光電子能譜所需校準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)指南
ASTM E996-19俄歇電子能譜和X射線光電子能譜中數(shù)據(jù)報告的標(biāo)準(zhǔn)實施規(guī)程
ASTM E996-10(2018)俄歇電子能譜和X射線光電子能譜中數(shù)據(jù)報告的標(biāo)準(zhǔn)實施規(guī)程
ASTM E995-16俄歇電子光譜和X射線光電子能譜背景減法技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)指南
ASTM E995-11在俄歇電子能譜和X射線光電子能譜中應(yīng)用背景消除技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)指南
ASTM E996-10俄歇電子光譜儀和X射線光電子能譜的報告數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程
ASTM E996-04俄歇電子光譜儀和X射線光電子能譜的報告數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程
ASTM E1523-97X射線光電子能譜法中電荷控制和電荷參考技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)指南
ASTM E996-94(1999)俄歇電子能譜分析和X射線光電子光譜分析數(shù)據(jù)報告的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程
德國標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
DIN ISO 16129:2020表面化學(xué)分析. X射線光電子能譜-評估X射線光電子能譜儀的日常性能的程序(ISO 16129-2018); 英文文本
英國標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
BS ISO 14701:2018表面化學(xué)分析. X射線光電子能譜學(xué). 二氧化硅厚度測量
BS ISO 18554:2016表面化學(xué)分析. 電子光譜. 采用X射線光電子能譜分析法對材料進(jìn)行分析的X射線的意外降解的識別, 評估和修正程序
BS ISO 19830:2015表面化學(xué)分析. 電子能譜. X射線光電子能譜峰擬合的*低報告要求
BS ISO 17109:2015表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
BS ISO 16531:2013表面化學(xué)分析.深度剖析.在光電子能譜(XPS)和原子發(fā)射光譜(AES)的深度剖析中離子束校準(zhǔn)和電流或電流密度的相關(guān)測量用方法
BS ISO 16243:2011表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜術(shù)(XPS)的記錄和報告數(shù)據(jù)
BS ISO 14701:2011表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜學(xué).二氧化硅厚度測量
BS ISO 10810:2010表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜法.分析指南
，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
KS D ISO 19318-2005(2020)表面化學(xué)分析X射線光電子能譜電荷控制和電荷校正方法報告
KS D ISO 19319-2005(2020)表面化學(xué)分析－俄歇電子能譜和X射線光電子能譜－分析儀橫向分辨率、分析面積和樣品面積的測定
KS D ISO 18118-2005(2020)表面化學(xué)分析俄歇電子能譜和X射線光電子能譜均勻材料定量分析用實驗測定的相對靈敏度因子的使用指南
日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)查會，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
JIS K0152-2014表面化學(xué)分析. X射線光電子能譜分析. 強度標(biāo)的重復(fù)性和一致性
JIS K0167-2011表面化學(xué)分析.俄歇電子光譜和X射線光電子能譜學(xué).勻質(zhì)材料定量分析用實驗室測定相對敏感因子的使用指南
法國標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
NF X21-073-2012表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜術(shù)(XPS)的記錄和報告數(shù)據(jù)
NF X21-071-2011表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜法.分析用導(dǎo)則
NF X21-058-2006表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜學(xué)和X射線光電子光譜法.測定峰強度使用的方法和報告結(jié)果時需要的信息
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-有色金屬，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
YS/T 644-2007鉑釕合金薄膜測試方法 X射線光電子能譜法 測定合金態(tài)鉑及合金態(tài)釕含量
韓國科技標(biāo)準(zhǔn)局，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
KS D ISO 19319:2005表面化學(xué)分析.俄歇電子能譜和X射線光電子能譜.分析員對橫向分辨率、分析區(qū)域和樣品區(qū)域的目視檢測
KS D 2518-2005鎘光電子能譜分析法
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
SJ/T 10458-1993俄歇電子能譜術(shù)和X射線光電子能譜術(shù)的樣品處理標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)則
澳大利亞標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會，關(guān)于紫外光電子能譜 制樣的標(biāo)準(zhǔn)
AS ISO 19319:2006表面化學(xué)分析．Augur電子能譜法和X射線光電子光譜法．分析員對橫向分辨率；分析區(qū)域和樣品區(qū)域的目視檢測
AS ISO 18118:2006表面化學(xué)分析．俄歇電子能譜法和X射線光電子光譜法．均質(zhì)材料定量分析中實驗測定的相對靈敏系數(shù)使用指南
檢測流程步驟
溫馨提示：以上關(guān)于《紫外光電子能譜制樣檢測檢驗報告》內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。
