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集成電路第三方檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)

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集成電路檢測(cè)測(cè)試哪些指標(biāo)?檢測(cè)費(fèi)用多少?檢測(cè)周期多久呢?我們嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行檢測(cè)和評(píng)估,確保檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。同時(shí),我們還根據(jù)客戶的需求,提供個(gè)性化的檢測(cè)方案和報(bào)告,幫助廠家更好地了解產(chǎn)品質(zhì)量和性能。

檢測(cè)項(xiàng)目(參考):

低溫存儲(chǔ)試驗(yàn)、低溫工作試驗(yàn)、低溫運(yùn)行試驗(yàn)、沖擊試驗(yàn)、功率因數(shù)測(cè)量誤差試驗(yàn)、功率測(cè)量誤差試驗(yàn)、功耗試驗(yàn)、可焊性試驗(yàn)、周期中斷功能試驗(yàn)、響應(yīng)時(shí)間試驗(yàn)、增益試驗(yàn)、外觀和尺寸檢查、失效保護(hù)功能試驗(yàn)、工作電流試驗(yàn)、開(kāi)路/短路、引出端強(qiáng)度試驗(yàn)、抗靜電測(cè)試試驗(yàn)、抗靜電能力試驗(yàn)、振動(dòng)試驗(yàn)、接收器差分輸入閾值電壓試驗(yàn)、接收器輸入阻抗試驗(yàn)、接收器輸出電壓試驗(yàn)、接收器輸出短路電流試驗(yàn)、接收器輸出高阻態(tài)漏電流試驗(yàn)、接收靈敏度試驗(yàn)、數(shù)字輸入電壓試驗(yàn)、時(shí)鐘功能試驗(yàn)、機(jī)械性能試驗(yàn)、極性判別時(shí)間試驗(yàn)、極限溫度使用試驗(yàn)、溫度沖擊試驗(yàn)、溫度影響量試驗(yàn)、焊錫接合強(qiáng)度試驗(yàn)、電壓信號(hào)采樣通道測(cè)量誤差試驗(yàn)、電壓基準(zhǔn)試驗(yàn)、電流信號(hào)采樣通道測(cè)量誤差試驗(yàn)、電源電流測(cè)試、電能計(jì)量誤差試驗(yàn)、線性放大試驗(yàn)、耐濕、耐焊接熱試驗(yàn)、自動(dòng)極性判斷和校正試驗(yàn)、諧波影響量試驗(yàn)、過(guò)壓保護(hù)功能試驗(yàn)、過(guò)流保護(hù)功能試驗(yàn)、通信速率及誤碼率試驗(yàn)、鬧鐘中斷試驗(yàn)、靜態(tài)工作電流、頻率影響量試驗(yàn)、頻率測(cè)量誤差試驗(yàn)、頻率溫度特性試驗(yàn)、頻率電壓特性試驗(yàn)、驅(qū)動(dòng)器共模輸出電壓試驗(yàn)、驅(qū)動(dòng)器差分輸出電壓試驗(yàn)、驅(qū)動(dòng)器輸出短路電流試驗(yàn)、高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)、高溫壽命試驗(yàn)、高溫工作試驗(yàn)、高溫運(yùn)行試驗(yàn)、高溫高濕存儲(chǔ)試驗(yàn)、高溫高濕試驗(yàn)、X射線檢查、剪切強(qiáng)度、外部目檢、密封、恒定加速度、溫度循環(huán)、穩(wěn)定性烘焙、穩(wěn)態(tài)壽命、粒子碰撞噪聲檢測(cè)、粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)、老煉試驗(yàn)、芯片剪切強(qiáng)度、芯片粘接的超聲檢測(cè)、鍵合強(qiáng)度、鍵合強(qiáng)度(破壞性鍵合拉力試驗(yàn))、靜電放電敏感度的分級(jí)、靜電放電敏感度測(cè)試/人體模型、靜電放電敏感度測(cè)試/場(chǎng)感應(yīng)器件放電模型、靜電放電敏感度測(cè)試/集成電路閂鎖測(cè)試、掃描電子顯微鏡(SEM)檢查、傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量-1Ω/150Ω直接耦合法、傳導(dǎo)抗擾度測(cè)量-大電流注入(BCI)法、傳導(dǎo)抗擾度測(cè)量-直接注入法、汽車(chē)電子瞬態(tài)傳導(dǎo)抗擾度(脈沖1、2a、3a、3b)、電快速瞬變脈沖群抗擾度、輻射發(fā)射測(cè)量-TEM小室和寬帶TEM小室法、輻射抗擾度測(cè)量-TEM小室和寬帶TEM小室法、低溫工作壽命測(cè)試、常溫循環(huán)擦寫(xiě)后的數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試、常溫循環(huán)擦寫(xiě)后的數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試和讀操作干擾測(cè)試、常溫循環(huán)擦寫(xiě)耐力測(cè)試、未經(jīng)循環(huán)擦寫(xiě)的超高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力測(cè)試、未經(jīng)循環(huán)擦寫(xiě)的高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力測(cè)試、高溫工作壽命測(cè)試、高溫循環(huán)擦寫(xiě)后的超高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力測(cè)試、高溫循環(huán)擦寫(xiě)后的高溫工作壽命測(cè)試、高溫循環(huán)擦寫(xiě)后的高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力測(cè)試、高溫循環(huán)擦寫(xiě)耐力測(cè)試、高溫早期失效測(cè)試、(運(yùn)算放大器的)短路輸出電流、MOS電路傳輸時(shí)間、MOS電路延遲時(shí)間和轉(zhuǎn)換時(shí)間、串?dāng)_衰減、串?dāng)_衰減(多重放大器)、交變濕熱、低溫、共模輸入電壓范圍、沖擊、分辨時(shí)間、功能驗(yàn)證、動(dòng)態(tài)條件下的總電源電流、動(dòng)態(tài)特性、單位增益頻率、雙極型電路傳輸時(shí)間、雙極型電路延遲時(shí)間和轉(zhuǎn)換時(shí)間、可焊性、響應(yīng)時(shí)間、基準(zhǔn)電壓、備用電流(靜態(tài)電流)、外部目檢和標(biāo)志檢查、存儲(chǔ)器寫(xiě)恢復(fù)時(shí)間、存儲(chǔ)器地址存取時(shí)間、存儲(chǔ)器片選存取時(shí)間、存儲(chǔ)器讀存取時(shí)間、導(dǎo)通時(shí)間和截止時(shí)間、小信號(hào)輸入阻抗、尺寸、差分放大器的輸出電壓范圍、建立時(shí)間和保持時(shí)間、開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù)、引出端之間的絕緣電阻、引出端強(qiáng)度、彎曲試驗(yàn)、強(qiáng)加速濕熱、截止態(tài)和導(dǎo)通態(tài)電流(對(duì)模擬信號(hào)開(kāi)關(guān)電路)、截止態(tài)開(kāi)關(guān)隔離、截止頻率、扭轉(zhuǎn)試驗(yàn)、拉力試驗(yàn)、振動(dòng)、掃描頻率、控制饋通電壓、推力試驗(yàn)、數(shù)字集成電路功能檢驗(yàn)、時(shí)序電路的轉(zhuǎn)換頻率、易燃性、較小寫(xiě)脈沖持續(xù)時(shí)間(脈寬)的測(cè)試、較高和較低工作溫度下電特性、標(biāo)志耐久性、標(biāo)志耐溶劑性、正向鎖定的輸入/輸出電壓或電流、溫度變化、溫度快速變化、滿輸出電壓幅度的上限頻率、獨(dú)立元件的測(cè)量(外貼元件)、獨(dú)立元件的測(cè)量(淀積膜元件的測(cè)量)、環(huán)境溫度下電特性、電壓測(cè)試:等效輸入和輸出電容、等效輸入和輸出電阻、電流測(cè)試:大信號(hào)工作時(shí)的輸入和輸出電容、電測(cè)試

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)一覽:

1、EN 61967-2:2005 集成電路-電磁發(fā)射測(cè)量、150kHz - 1GHz-第2部分:輻射發(fā)射測(cè)量- TEM小室和寬帶TEM小室法 8

2、GJB4027A-2006 **電子元器件破壞性物理分析方法 項(xiàng)目1101、項(xiàng)目1102 2.3

3、GB/T12750-2006 半導(dǎo)體器件 集成電路第11部分:半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路) 12.1

4、Q/GDW 11179.14-2015 電能表用元器件技術(shù)規(guī)范 第11部分:計(jì)量芯片 7.4.1

5、IEC 62132-4:2006 集成電路-電磁抗擾度測(cè)量、150 kHz -1 GHz - 第四部分:直接射頻功率輸入法 8

6、SJ 21473.3-2018 **集成電路電磁抗擾度測(cè)量方法 第3部分:傳導(dǎo)抗擾度測(cè)量大電流注入(BCI)法 6

7、GJB548B-2005 微電子器件試驗(yàn)方法和程序 2016

8、ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018 靜電放電敏感度測(cè)試、帶電器件模型(CDM)-器件級(jí)

9、GB/T 17574-1998 半導(dǎo)體器件 集成電路 第2部分:數(shù)字集成電路 第IV篇 第3節(jié) 4.1.2

10、JESD22-A108F:2017 溫度偏置壽命實(shí)驗(yàn) 4.2.3.2

11、IEC 62215-3:2013 集成電路-脈沖抗擾度測(cè)量-第三部分:異步瞬態(tài)注入法 10 & Annex D

12、GB/T 17940-2000、IEC 60748-3:1986 半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路 第IV篇 第2節(jié) 17

13、JESD22-A117E:2018 電子可清除可編程ROM編程/清除耐久力和數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試 4.2

14、AEC-Q100-005-REV-D1:2012 可寫(xiě)可擦除的永久性記憶的耐久性、資料保持及工作壽命的測(cè)試 3.3

15、JESD47K :2018 IC集成電路壓力測(cè)試考核 5.5 表 5-1

16、IEC 62132-2:2010 集成電路-電磁抗擾度測(cè)量、150kHz - 1GHz-第2部分:輻射抗擾度測(cè)量- TEM小室和寬帶TEM小室法 8

17、Q/GDW 11179.11-2015 電能表用元器件技術(shù)規(guī)范 第11部分:串口通信協(xié)議RS-485芯片 7.5.1

18、JEDEC JESD78E-2016 集成電路閂鎖測(cè)試

19、IEC 62132-3:2007 集成電路-電磁抗擾度測(cè)量、150 kHz -1 GHz - 第三部分:大電流注入(BCI)法 6

20、AEC-Q100-008-REV-A:2003 早期壽命失效率 3.2

檢測(cè)報(bào)告用途

商超入駐、電商上架、內(nèi)部品控、招投標(biāo)、高??蒲械?。

檢測(cè)報(bào)告有效期

一般檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測(cè)報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。常規(guī)來(lái)說(shuō)只要測(cè)試沒(méi)更新,測(cè)試不變檢測(cè)報(bào)告一直有效。如果是用于過(guò)電商平臺(tái),一般他們只認(rèn)可一年內(nèi)的。所以還要看平臺(tái)或買(mǎi)家的要求。

檢測(cè)流程步驟

檢測(cè)流程步驟

第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)平臺(tái)

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