絕緣柵雙極晶體管（IGBT）檢驗機構(gòu)

檢測報告圖片模板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）檢測哪些項目？檢測周期多久呢？測試方法有哪些？我們嚴格按照標準進行檢測和評估，確保檢測結(jié)果的準確性和可靠性。同時，我們還根據(jù)客戶的需求，提供個性化的檢測方案和報告，幫助廠家更好地了解產(chǎn)品質(zhì)量和性能。百檢第三方檢測機構(gòu)支持寄樣、上門檢測，主要為公司、企業(yè)、事業(yè)單位、個體商戶、高?？蒲刑峁悠窓z測服務(wù)，報告CMA/CNAS/CAL資質(zhì)，真實有效。做檢測，找百檢！

檢測項目（參考）：

發(fā)射極—集電極的擊穿電壓V_(BR)ECO、柵極—發(fā)射極的漏電流I_GES、柵極閾電壓V_GE(th)、正向跨導g_m、集電極—發(fā)射極的擊穿電壓V_(BR)CEO、集電極—發(fā)射極的飽和電壓V_CEsat、零柵壓時的集電極電流I_CES、關(guān)斷期間的各時間間隔和關(guān)斷能量、反向傳輸電容、開通期間的各時間間隔和開通能量、較大集電極峰值電流、較大集電極電流、柵極漏電流IGES、柵極電荷、柵極－發(fā)射極閾值電壓VGEth、輸入電容、輸出電容、集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CES、集電極截止電流ICES、集電極－發(fā)射極電壓、集電極－發(fā)射極短路時的柵極－發(fā)射極電壓、集電極－發(fā)射極飽和電壓VCEsat、柵極-發(fā)射極閾值電壓、柵極漏電流、穩(wěn)態(tài)濕熱偏置壽命、結(jié)－殼熱阻、間歇工作壽命（負載循環(huán)）、集電極-發(fā)射極飽和電壓、集電極截止電流、高溫柵極偏置、高溫阻斷、集電極－發(fā)射極飽和電壓、柵極－發(fā)射極閾值電壓、較大反偏安全工作區(qū)、較大短路安全工作區(qū)1、較大短路安全工作區(qū)2、開通期間的各時間間隔（td(on)、tr、ton）和開通能量Eon、關(guān)斷期間的各時間間隔（td(off)、tf、toff、tz）和關(guān)斷能量Eoff、結(jié)－殼熱阻和結(jié)－殼瞬態(tài)熱阻抗、集電極-發(fā)射極擊穿電壓、發(fā)射極—集電極的擊穿電壓、柵極—發(fā)射極的漏電流、柵極閾電壓、集電極—發(fā)射極的擊穿電壓、集電極—發(fā)射極的飽和電壓、零柵壓時的集電極電流、正向跨導

檢測標準一覽：

1、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.5

2、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.3

3、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.5

4、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.4

5、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.6.2

6、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :200 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.2 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007

7、GB/T 4587-1994 半導體器件分立器件第7部分:雙極型晶體管 GB/T 4587-1994

8、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.9

9、IEC 60749-5:2017 半導體器件機械和氣候試驗方法第5部分：穩(wěn)態(tài)濕熱偏置壽命試驗

10、GB/T 29332-2012 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

11、GB/T 4586-1994 半導體器件分立器件第8部分:場效應(yīng)晶體管 Ⅳ2

12、 GB/T 29332-201 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012

13、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.3

14、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.4

15、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.2

16、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.2.3

17、GB/T 4586-1994 半導體器件分立器件第8部分:場效應(yīng)晶體管 GB/T 4586-1994

18、 GB/T 29332-2012 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012

19、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.12

20、 GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11 半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012/IEC 60747-9 Ed. 2.0 :2007 6.3.11

檢測時間周期

一般3-10個工作日（特殊樣品除外），具體請咨詢客服。

檢測報告用途

商超入駐、電商上架、內(nèi)部品控、招投標、高校科研等。

如果您對產(chǎn)品品質(zhì)和安全性能有嚴格要求，不妨考慮選擇我們的檢測服務(wù)。讓我們助您一臂之力，共創(chuàng)美好未來。

檢測流程步驟

第三方檢測機構(gòu)平臺

百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)的檢測機構(gòu)遍布全國，檢測領(lǐng)域包括食品、環(huán)境、建材、電子、化工、汽車、家居、紡織品、農(nóng)產(chǎn)品等，具體請咨詢在線客服。

溫馨提示：以上內(nèi)容為部分列舉，僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。

標簽：