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分立器件檢測(cè)測(cè)試第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)

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檢測(cè)項(xiàng)目

機(jī)械性能、導(dǎo)電性能、絕緣性能、陳粉檢測(cè)、含量檢測(cè)、集成度、性能檢測(cè)等。

檢測(cè)范圍

半導(dǎo)體分立器件、分離元器件、封裝分立器件、分立器件芯片、電源分立器件、光刻分立器件、分立器件硅片、分立器件外殼、倒裝分立器件等。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

GB/T249-2017半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法

GB/T4023-2015半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管

GB/T4586-1994半導(dǎo)體器件分立器件第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管

GB/T4587-1994半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分:雙極型晶體管

GB/T4589.1-2006半導(dǎo)體器件第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T4937.1-2006半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第1部分:總則

GB/T4937.17-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第17部分:中子輻照

GB/T4937.18-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第18部分:電離輻照(總劑量)

GB/T4937.22-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第22部分:鍵合強(qiáng)度

GB/T6217-1998半導(dǎo)體器件分立器件第7部分:雙極型晶體管第一篇高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

GB/T6219-1998半導(dǎo)體器件分立器件第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管第一篇1GHz、5W以下的單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

GB/T6351-1998半導(dǎo)體器件分立器件第2部分:整流二極管第一篇100A以下環(huán)境和管殼額定整流二極管空白詳細(xì)規(guī)范

GB/T6352-1998半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第一篇100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

GB/T6571-1995半導(dǎo)體器件分立器件第3部分:信號(hào)(包括開(kāi)關(guān))和調(diào)整二極管

GB/T6588-2000半導(dǎo)體器件分立器件第3部分:信號(hào)(包括開(kāi)關(guān))和調(diào)整二極管第一篇信號(hào)二極管、開(kāi)關(guān)二極管和可控雪崩二極管空白詳細(xì)規(guī)范

GB/T6589-2002半導(dǎo)體器件分立器件第3-2部分:信號(hào)(包括開(kāi)關(guān))和調(diào)整二極管電壓調(diào)整二極管和電壓基準(zhǔn)二極管(不包括溫度補(bǔ)償精密基準(zhǔn)二極管)空白詳細(xì)規(guī)范

GB/T6590-1998半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

GB/T7576-1998半導(dǎo)體器件分立器件第7部分:雙極型晶體管第一篇高頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

GB/T7581-1987半導(dǎo)體分立器件外形尺寸

GB/T8750-2014半導(dǎo)體封裝用鍵合金絲

檢測(cè)流程步驟

檢測(cè)流程步驟

第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)平臺(tái)

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