檢測(cè)報(bào)告圖片
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檢測(cè)項(xiàng)目及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)一覽表
| 序號(hào) | 檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn) | 檢測(cè)對(duì)象 | 檢測(cè)項(xiàng)目 |
|---|---|---|---|
| 1 | 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016IEC 60269-4:2012 8.5 | 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體 | 分?jǐn)嗄芰︱?yàn)證 |
| 2 | 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016IEC 60269-4:2012 8.3 | 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體 | 溫升和耗散功率 |
| 3 | 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016IEC 60269-4:2012 8.4.3.1a） | 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體 | 約定不熔斷電流 |
| 4 | 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016IEC 60269-4:2012 8.4.3.1b） | 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體 | 約定熔斷電流 |
| 5 | 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016IEC 60269-4:2012 8.4.3.4 | 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體 | 過(guò)載能力驗(yàn)證 |
| 6 | 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016IEC 60269-4:2012 8.4.3.2 | 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體 | 額定電流驗(yàn)證 |
| 7 | 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016 6 | 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體 | 標(biāo)志 |
| 8 | 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016 8.1.4 | 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體 | 尺寸 |
| 9 | 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016 8.1.5.1 | 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體 | 電阻 |
| 10 | 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016 8.2.1 | 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體 | 熔斷器支持件的布置 |
檢測(cè)時(shí)間周期
一般3-10天出報(bào)告，有的項(xiàng)目1天出報(bào)告，具體根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體檢測(cè)項(xiàng)目而定。
檢測(cè)報(bào)告有效期
一般半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體檢測(cè)報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測(cè)報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。
檢測(cè)流程步驟
1、電話溝通、確認(rèn)需求；
2、推薦方案、確認(rèn)報(bào)價(jià)；
3、郵寄樣品、安排檢測(cè)；
4、進(jìn)度跟蹤、結(jié)果反饋；
5、出具報(bào)告、售后服務(wù)；
6、如需加急、優(yōu)先處理；
溫馨提示：以上關(guān)于《半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體檢測(cè)》內(nèi)容僅為部分列舉供參考使用，百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)遍布全國(guó)，更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。
