檢測報(bào)告圖片
檢測報(bào)告圖片模板
檢測項(xiàng)目及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)一覽表
| 序號(hào) | 檢測標(biāo)準(zhǔn) | 檢測對(duì)象 | 檢測項(xiàng)目 |
|---|---|---|---|
| 1 | 半導(dǎo)體器件分立器件 第7部分:雙*型晶體管 GB/T 4587-1994 Ⅳ1.10 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 發(fā)射*—集電*的擊穿電壓<I>V</I><Sub>(BR)ECO</Sub> |
| 2 | 半導(dǎo)體器件分立器件 第8部分:場效應(yīng)晶體管 GB/T 4586-1994 Ⅳ2 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 柵*—發(fā)射*的漏電流<I>I</I><Sub>GES</Sub> |
| 3 | 半導(dǎo)體器件分立器件 第8部分:場效應(yīng)晶體管 GB/T 4586-1994 Ⅳ6 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 柵*閾電壓<I>V</I><Sub>GE(th)</Sub> |
| 4 | 半導(dǎo)體器件分立器件 第8部分:場效應(yīng)晶體管 GB/T 4586-1994 Ⅳ10 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 正向跨導(dǎo)<I>g</I><Sub>m</Sub> |
| 5 | 半導(dǎo)體器件分立器件 第7部分:雙*型晶體管 GB/T 4587-1994 Ⅳ1.10 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 集電*—發(fā)射*的擊穿電壓<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> |
| 6 | 半導(dǎo)體器件分立器件 第7部分:雙*型晶體管 GB/T 4587-1994 Ⅳ1.4 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 集電*—發(fā)射*的飽和電壓<I>V</I><Sub>CEsat</Sub> |
| 7 | 半導(dǎo)體器件分立器件 第8部分:場效應(yīng)晶體管 GB/T 4586-1994 Ⅳ3 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 零柵壓時(shí)的集電*電流<I>I</I><Sub>CES</Sub> |
| 8 | 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙*晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 關(guān)斷期間的各時(shí)間間隔和關(guān)斷能量 |
| 9 | 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙*晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 反向傳輸電容 |
| 10 | 半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙*晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012 | 絕緣柵雙*晶體管（IGBT） | 開通期間的各時(shí)間間隔和開通能量 |
檢測時(shí)間周期
一般3-10天出報(bào)告，有的項(xiàng)目1天出報(bào)告，具體根據(jù)絕緣柵雙*晶體管（IGBT）檢測項(xiàng)目而定。
檢測報(bào)告有效期
一般絕緣柵雙*晶體管（IGBT）檢測報(bào)告上會(huì)標(biāo)注實(shí)驗(yàn)室收到樣品的時(shí)間、出具報(bào)告的時(shí)間。檢測報(bào)告上不會(huì)標(biāo)注有效期。
檢測流程步驟
1、電話溝通、確認(rèn)需求；
2、推薦方案、確認(rèn)報(bào)價(jià)；
3、郵寄樣品、安排檢測；
4、進(jìn)度跟蹤、結(jié)果反饋；
5、出具報(bào)告、售后服務(wù)；
6、如需加急、優(yōu)先處理；
溫馨提示：以上關(guān)于《絕緣柵雙*晶體管（IGBT）檢測》內(nèi)容僅為部分列舉供參考使用，百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)的檢測機(jī)構(gòu)遍布全國，更多檢測需求請(qǐng)咨詢客服。
