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半導(dǎo)體可控硅檢測(cè)報(bào)告如何辦理

檢測(cè)報(bào)告圖片

檢測(cè)報(bào)告圖片

半導(dǎo)體可控硅檢測(cè)需要根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)指定項(xiàng)目、方法進(jìn)行,GB國(guó)標(biāo)、行標(biāo)、外標(biāo)、企標(biāo)、地方標(biāo)準(zhǔn)。半導(dǎo)體可控硅檢測(cè)樣品檢測(cè)報(bào)告結(jié)果會(huì)與標(biāo)準(zhǔn)中要求對(duì)比,在報(bào)告中體現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量。第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)可提供半導(dǎo)體可控硅檢測(cè)一站式服務(wù),工程師一對(duì)一服務(wù),確認(rèn)需求、推薦方案、寄樣送檢、出具報(bào)告、售后服務(wù),3-15工作日出具報(bào)告,歡迎咨詢(xún)半導(dǎo)體可控硅檢測(cè)服務(wù)

檢測(cè)周期:常規(guī)3-15個(gè)工作日,可加急(特殊樣品除外)

報(bào)告樣式:電子版、紙質(zhì),中、英文均可。

報(bào)告資質(zhì):CMA、CNAS

半導(dǎo)體可控硅檢測(cè)項(xiàng)目:

檢測(cè)項(xiàng)目:

低溫檢測(cè)、反向峰值電流IRRM、擎住電流IL、斷態(tài)峰值電流IDRM、維持電流IH、通態(tài)峰值電壓VTM、通態(tài)斜率電阻Rt、門(mén)*觸發(fā)直流電壓VGT、門(mén)*觸發(fā)直流電流IGT、高溫反偏試驗(yàn)、高溫檢測(cè)

半導(dǎo)體可控硅檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn):

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn):

1、GB/T15291-2015 半導(dǎo)體器件 第 第6部分 晶閘管 9.1.2、9.1.3、 9.1.4、 9.1.5、 9.1.6、 9.1.7

2、GB/T 15291-2015 半導(dǎo)體器件 第 第6部分 晶閘管 GB/T15291-2015

3、GJB 128A-1997 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 1040

百檢檢測(cè)服務(wù)流程

1. 樣品提供:客戶(hù)提供待檢測(cè)樣品,并擬定檢測(cè)方案;

2. 樣品接收:實(shí)驗(yàn)室收到樣品后進(jìn)行核查并錄入樣品信息;

3. 樣品處理:將樣品進(jìn)行必要的前處理,確保檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性;

4. 檢測(cè)分析:利用適當(dāng)?shù)奈锢?、化學(xué)或生物學(xué)方法對(duì)樣品進(jìn)行檢測(cè),保證檢測(cè)的覆蓋率和準(zhǔn)確度;

5. 結(jié)果報(bào)告:按照檢測(cè)方案,將檢測(cè)結(jié)果用簡(jiǎn)要、準(zhǔn)確的方式告知客戶(hù)并提供詳細(xì)的檢測(cè)報(bào)告。

檢測(cè)報(bào)告用途:

商超入駐、電商上架、內(nèi)部品控、招投標(biāo)、高??蒲械?。

以上文章內(nèi)容為部分列舉,更多檢測(cè)需求及詳情免費(fèi)咨詢(xún)機(jī)構(gòu)在線客服,做檢測(cè)上百檢,實(shí)樣檢測(cè),真實(shí)報(bào)告。

檢測(cè)流程步驟

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示:《半導(dǎo)體可控硅檢測(cè)報(bào)告如何辦理》內(nèi)容僅為部分列舉供參考使用,百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)遍布全國(guó),更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢(xún)客服。

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