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標準編號:GB/T 1553-2009硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法
標準狀態(tài):現(xiàn)行
標準簡介:本標準規(guī)定了硅和鍺單晶體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的測量方法。本標準適用于非本征硅和鍺單晶體內(nèi)載流子復合過程中非平衡少數(shù)載流子壽命的測量。
英文名稱: Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
替代情況: 替代GB/T 1553-1997
中標分類: 冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類: 電氣工程>>29.045半導體材料
發(fā)布部門: 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發(fā)布日期: 2009-10-30
實施日期: 2010-06-01
*發(fā)日期: 1979-05-26
提出單位: 全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會
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