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標準編號：GB/T 4058-2009硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
標準簡介：本標準規(guī)定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法。本標準適用于硅拋光片表面區(qū)在模擬器件氧化工藝中誘生或增強的晶體缺陷的檢測。硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗也可參照此方法。
英文名稱： Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
替代情況： 替代GB/T 4058-1995
中標分類： 冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導體材料
發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發(fā)布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
*發(fā)日期： 1983-12-20
提出單位： 全國半導體設備和材料標準化技術委員會
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