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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 紅外吸收測(cè)量方法
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅中代位碳原子含量的紅外吸收測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及電阻率高于1Ω·cm 的n型硅片中代位碳原子含量的測(cè)定,對(duì)于精密度要求不高的硅片,可以測(cè)量電阻率大于0.1Ω·cm 的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于間隙位置,因而本方法不能測(cè)定總碳含量。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于硅多晶中代位碳原子含量的測(cè)定,但其晶粒界間區(qū)的碳同樣不能測(cè)定。
英文名稱(chēng)： Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
替代情況： 替代GB/T 1558-1997
中標(biāo)分類(lèi)： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類(lèi)： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
采標(biāo)情況： MOD SEMI MF 1391-0704
發(fā)布部門(mén)： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
*發(fā)日期： 1979-05-26
提出單位： 全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
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