檢測(cè)報(bào)告圖片模板：
檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 13387-2009硅及其它電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)用于標(biāo)稱圓形晶片邊緣平直部分長(zhǎng)度小于等于65mm 的電學(xué)材料。本標(biāo)準(zhǔn)僅對(duì)硅片精度進(jìn)行確認(rèn),預(yù)期精度不因材料而改變。本標(biāo)準(zhǔn)適用于仲裁測(cè)量,當(dāng)規(guī)定的限度要求高于用尺子和肉眼檢測(cè)能夠獲得的精度時(shí),本標(biāo)準(zhǔn)也可用于常規(guī)驗(yàn)收測(cè)量。
英文名稱： Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials
替代情況： 替代GB/T 13387-1992
中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
采標(biāo)情況： SEMI MF671-0705 MOD
發(fā)布部門： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
*發(fā)日期： 1992-02-19
提出單位： 全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
免責(zé)聲明：(更多標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)先聯(lián)系客服查詢！)
1.本站標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)為非營(yíng)利性質(zhì)，僅供各行人士相互交流、學(xué)習(xí)使用，使用標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)以正式出版的版本為準(zhǔn)。
2.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，不保證文件的準(zhǔn)確性和完整性，如因使用文件造成損失，本站不承擔(dān)任何責(zé)任。
3.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，本站不承擔(dān)任何技術(shù)及版權(quán)問題，如有相關(guān)內(nèi)容侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
