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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由測量硅片間隙氧含量的減少量來檢驗(yàn)硅片氧沉淀特性的方法原理、取樣規(guī)則、熱處理程序、試驗(yàn)步驟、數(shù)據(jù)計(jì)算等內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)用于定性比較兩批或多批集成電路用硅片間隙氧沉淀特性。
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 19444-2004
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅片氧沉淀特性的測定-間隙氧含量減少法
英文名稱：Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2004-02-05
實(shí)施日期：2004-07-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H26金屬無損檢驗(yàn)方法
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：電氣工程>>絕緣流體>>29.040.01絕緣流體綜合
起草單位：洛陽單晶硅有限責(zé)任公司、中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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