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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用紅外光譜法測定硅單晶中的間隙氧含量的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于室外溫電阻率大于0.1Ω·cm的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm中間的p型硅單晶中間隙氧含量的測量。本標(biāo)準(zhǔn)測量氧含量的有效范圍從1×1016at·cm-3到硅中間隙氧的*大固熔度。
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 1557-2006
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
英文名稱：The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：2006-07-18
實施日期：2006-11-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：冶金>>金屬材料試驗>>77.040.30金屬材料化學(xué)分析
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB/T 14143-1993;GB/T 1557-1989;被GB/T 1557-2018代替
起草單位：峨眉半導(dǎo)體材料廠
歸口單位：全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
發(fā)布單位：質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局.
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