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標準簡介：本標準規(guī)定了采用紅外光譜法測定硅單晶晶體中間隙氧含量的方法。 本標準適用于室溫電阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅單晶和室溫電阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅單晶中間隙氧含量的測定。以常溫紅外設(shè)備測試時，氧含量（原子數(shù)）測試范圍從1×1016 cm-3到硅中間隙氧的*大固溶度；以低溫紅外設(shè)備測試時，氧含量（原子數(shù)）的測試范圍從0.5×1015 cm-3到硅中間隙氧的*大固溶度。
標準號：GB/T 1557-2018
標準名稱：硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
英文名稱：Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
標準類型：國家標準
標準性質(zhì)：推薦性
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2018-09-17
實施日期：2019-06-01
中國標準分類號（CCS）：冶金>>金屬化學分析方法>>H17半金屬及半導體材料分析方法
國際標準分類號（ICS）：冶金>>77.040金屬材料試驗
替代以下標準：替代GB/T 1557-2006
起草單位：新特能源股份有限公司、有研半導體材料有限公司、亞洲硅業(yè)(青海)有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、隆基綠能科技股份有限公司、內(nèi)蒙古盾安光伏科技有限公司、峨嵋半導體材料研究所、北京合能陽光新能源技術(shù)有限公司
歸口單位：全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全
發(fā)布單位：國家市場監(jiān)督管理總局.
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