檢測(cè)報(bào)告圖片模板：
檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用體硅溶片加工工藝進(jìn)行MEMS器件加工時(shí)應(yīng)遵循的工藝要求和工藝評(píng)價(jià)規(guī)范。本標(biāo)準(zhǔn)適用于體硅溶片工藝的加工和質(zhì)量檢驗(yàn)。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 28276-2012
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅基MEMS制造技術(shù) 體硅溶片工藝規(guī)范
英文名稱：Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for dissolved wafer process
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2012-05-11
實(shí)施日期：2012-12-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：電子元器件與信息技術(shù)>>微電路>>L55微電路綜合
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：電子學(xué)>>31.200集成電路、微電子學(xué)
起草單位：中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心、北京大學(xué)、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
歸口單位：全國微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 336)
發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
免責(zé)聲明：(更多標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)先聯(lián)系客服查詢！)
1.本站標(biāo)準(zhǔn)庫為非營利性質(zhì)，僅供各行人士相互交流、學(xué)習(xí)使用，使用標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)以正式出版的版本為準(zhǔn)。
2.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，不保證文件的準(zhǔn)確性和完整性，如因使用文件造成損失，本站不承擔(dān)任何責(zé)任。
3.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò)，本站不承擔(dān)任何技術(shù)及版權(quán)問題，如有相關(guān)內(nèi)容侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
