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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用電容位移傳感器測(cè)定硅拋光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蝕片也可參考此方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)直徑76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,電阻率不大于200Ω·cm厚度不大于1000μm 的硅拋光片的表面平整度和直觀描述硅片表面的輪廓形貌。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 6621-2009
標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：硅片表面平整度測(cè)試方法
英文名稱(chēng)：Testing methods for surface flatness of silicon slices
標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2009-10-30
實(shí)施日期：2010-06-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB/T 6621-1995
起草單位：上海合晶硅材料有限公司
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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