檢測報告圖片模板：
檢測執(zhí)行標準信息一覽：
標準簡介：本標準規(guī)定的測量方法適用于非本征半導體單晶材料的霍爾系數(shù)、載流子霍爾遷移率、電阻率和載流子濃度。 本標準規(guī)定的測量方法僅在有限的范圍內對鍺、硅、砷化鎵單晶材料進行了實驗室測量，但該方法也可適用于其他半導體單晶材料，一般情況下，適用于室溫電阻率高達104Ω·cm
標準號：GB/T 4326-2006
標準名稱：非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法
英文名稱：Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient
標準類型：國家標準
標準性質：推薦性
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2006-07-18
實施日期：2006-11-01
中國標準分類號（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法
國際標準分類號（ICS）：冶金>>金屬材料試驗>>77.040.01金屬材料試驗綜合
替代以下標準：替代GB/T 4326-1984
起草單位：北京有色金屬研究總院
歸口單位：全國有色金屬標準化技術委員會
發(fā)布單位：國家質量監(jiān)督檢驗檢疫.
標準文檔查詢及下載
免責聲明：(更多標準請先聯(lián)系客服查詢！)
1.本站標準庫為非營利性質，僅供各行人士相互交流、學習使用，使用標準請以正式出版的版本為準。
2.全部標準資料均來源于網(wǎng)絡，不保證文件的準確性和完整性，如因使用文件造成損失，本站不承擔任何責任。
3.全部標準資料均來源于網(wǎng)絡，本站不承擔任何技術及版權問題，如有相關內容侵權，請聯(lián)系我們刪除。
