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GB/T41153-2021碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測(cè)定二次離子質(zhì)譜法

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標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介:本文件規(guī)定了碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測(cè)試方法。本文件適用于碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的定量分析,測(cè)定范圍為硼含量不小于5×1013 cm-3、鋁含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3,元素濃度(原子個(gè)數(shù)百分比)不大于1%。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 41153-2021

標(biāo)準(zhǔn)名稱:碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測(cè)定 二次離子質(zhì)譜法

英文名稱:Determination of boron,aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry

標(biāo)準(zhǔn)類型:國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行

發(fā)布日期:2021-12-31

實(shí)施日期:2022-07-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(CCS):冶金>>金屬化學(xué)分析方法>>H17半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(ICS):冶金>>77.040金屬材料試驗(yàn)

起草單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司

歸口單位:全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、

發(fā)布單位:國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局.

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