檢測報(bào)告圖片模板:
檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽:
標(biāo)準(zhǔn)簡介:本文件規(guī)定了CMOS集成電路抗輻射(總劑量、單粒子)加固設(shè)計(jì)的流程、設(shè)計(jì)要求、建模仿真、驗(yàn)證試驗(yàn)要求。本文件適用于基于體硅/SOI CMOS工藝的數(shù)字集成電路、模擬集成電路和數(shù)模混合集成電路的抗輻射(總劑量、單粒子)加固設(shè)計(jì)。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 41033-2021
標(biāo)準(zhǔn)名稱:CMOS集成電路抗輻射加固設(shè)計(jì)要求
英文名稱:Design requirements of radiation hardening for CMOS IC
標(biāo)準(zhǔn)類型:國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
發(fā)布日期:2021-12-31
實(shí)施日期:2022-07-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(CCS):航空、航天>>航空器與航天器零部件>>V29航天用液壓元件與附件
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(ICS):航空器和航天器工程>>49.035航空航天用零部件
起草單位:中國航天科技集團(tuán)有限公司第九研究院第七七一研究所
歸口單位:全國宇航技術(shù)及其應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 425)
發(fā)布單位:國家市場監(jiān)督管理總局.
免責(zé)聲明:(更多標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)先聯(lián)系客服查詢!)
1.本站標(biāo)準(zhǔn)庫為非營利性質(zhì),僅供各行人士相互交流、學(xué)習(xí)使用,使用標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)以正式出版的版本為準(zhǔn)。
2.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò),不保證文件的準(zhǔn)確性和完整性,如因使用文件造成損失,本站不承擔(dān)任何責(zé)任。
3.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò),本站不承擔(dān)任何技術(shù)及版權(quán)問題,如有相關(guān)內(nèi)容侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。