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GB/T41033-2021CMOS集成電路抗輻射加固設(shè)計(jì)要求

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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽:

標(biāo)準(zhǔn)簡介:本文件規(guī)定了CMOS集成電路抗輻射(總劑量、單粒子)加固設(shè)計(jì)的流程、設(shè)計(jì)要求、建模仿真、驗(yàn)證試驗(yàn)要求。本文件適用于基于體硅/SOI CMOS工藝的數(shù)字集成電路、模擬集成電路和數(shù)模混合集成電路的抗輻射(總劑量、單粒子)加固設(shè)計(jì)。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 41033-2021

標(biāo)準(zhǔn)名稱:CMOS集成電路抗輻射加固設(shè)計(jì)要求

英文名稱:Design requirements of radiation hardening for CMOS IC

標(biāo)準(zhǔn)類型:國家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行

發(fā)布日期:2021-12-31

實(shí)施日期:2022-07-01

中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(CCS):航空、航天>>航空器與航天器零部件>>V29航天用液壓元件與附件

國際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(ICS):航空器和航天器工程>>49.035航空航天用零部件

起草單位:中國航天科技集團(tuán)有限公司第九研究院第七七一研究所

歸口單位:全國宇航技術(shù)及其應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 425)

發(fā)布單位:國家市場監(jiān)督管理總局.

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