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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本方法適用于測量均勻摻雜、經(jīng)過拋光處理的n型或p型硅片的載流子復(fù)合壽命。本方法是非破壞性、無接觸測量。在電導(dǎo)率檢測系統(tǒng)的靈敏度足夠的條件下,本方法也可應(yīng)用于測試切割或者經(jīng)過研磨、腐蝕硅片的載流子復(fù)合壽命。
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 26068-2010
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測試方法
英文名稱：Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：2011-01-10
實施日期：2011-10-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：被GB/T 26068-2018代替
起草單位：有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、瑟米萊伯貿(mào)易(上海)有限公司、中國計量科學(xué)研究院、萬向硅峰電子有限公司、廣州昆德科技有限公司、洛陽單晶硅有限責(zé)任公司
歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC
發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.
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