標準簡介：本標準規(guī)定了太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素體含量的二次離子質譜（SIMS）檢測方法。?本標準適用于檢測各元素體含量不隨深度變化、且不考慮補償?shù)奶柲芗墕尉Щ蚨嗑Ч杵蚬枇现醒?、碳、硼和磷元素的體含量。各元素體含量的檢測上限均為0.2%（即＜1×10??20? atoms/cm?3），檢測下限分別為氧含量≥5×10??16? atoms/cm?3、碳含量≥1×10??16? atoms/cm?3、硼含量≥1×10??14? atoms/cm?3和磷含量≥2×10??14? atoms/cm?3。四種元素體含量的測定可使用配有銫一次離子源的SIMS儀器一次完成。

標準號：GB/T 32281-2015

標準名稱：太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的測定 二次離子質譜法

英文名稱：Test method for measuring oxygen,carbon,boron and phosphorus in solar silicon wafers and feedstock—Secondary ion mass spectrometry

標準類型：國家標準

標準性質：推薦性

標準狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2015-12-10

實施日期：2017-01-01

中國標準分類號（CCS）：冶金>>金屬化學分析方法>>H17半金屬及半導體材料分析方法

國際標準分類號（ICS）：冶金>>金屬材料試驗>>77.040.30金屬材料化學分析

起草單位：江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司、北京合能陽光新能源技術有限公司、中鋁寧夏能源集團有限公司、寧夏銀星多晶硅有限責任公司、洛陽鴻泰半導體有限公司、新特能源股份有限公司

歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全

發(fā)布單位：國家質量監(jiān)督檢驗檢疫.