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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用高分辨X 射線衍射測量GaAs襯底上AlGaAs外延層中Al含量的試驗(yàn)方法。本方法適用于在未摻雜GaAs襯底<001>方向上生長的AlGaAs外延層中Al含量的測定,使用本方法測量Al元素含量時(shí),AlGaAs外延層厚度應(yīng)大于300nm。
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 24576-2009
標(biāo)準(zhǔn)名稱：高分辯率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AlGaAs中Al成分的試驗(yàn)方法
英文名稱：Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2009-10-30
實(shí)施日期：2010-06-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會
發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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