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GB/T24582-2009酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測(cè)定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

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標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介:本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質(zhì),并用電感耦合等離子質(zhì)譜儀定量檢測(cè)多晶硅表面上的金屬雜質(zhì)痕量分析方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于堿金屬、堿土金屬和第一系列過(guò)渡元素如鈉、鉀、鈣、鐵、鎳、銅、鋅以及其他元素如鋁的檢測(cè)。本標(biāo)準(zhǔn)適用于各種棒、塊、粒、片狀多晶表面金屬污染物的檢測(cè)。由于塊、片或粒形狀不規(guī)則,面積很難準(zhǔn)確測(cè)定,故根據(jù)樣品重量計(jì)算結(jié)果,使用的樣品重量為50g~300g,檢測(cè)限為0.01ng/mL。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 24582-2009

標(biāo)準(zhǔn)名稱:酸浸取 電感耦合等離子質(zhì)譜儀測(cè)定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

英文名稱:Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry

標(biāo)準(zhǔn)類型:國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行

發(fā)布日期:2009-10-30

實(shí)施日期:2010-06-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(CCS):冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(ICS):電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料

起草單位:新光硅業(yè)科技責(zé)任有限公司

歸口單位:全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)

發(fā)布單位:國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.

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