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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針?lè)y(cè)量硅片徑向電阻率變化的方法。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 11073-2007
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法
英文名稱：Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2007-12-18
實(shí)施日期：2008-02-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>金屬化學(xué)分析方法>>H17半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：冶金>>金屬材料試驗(yàn)>>77.040.01金屬材料試驗(yàn)綜合
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB/T 11073-1989
起草單位：峨嵋山半導(dǎo)體材料廠
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
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