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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了非摻雜半絕緣砷化鎵晶片中碳濃度的紅外吸收測試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率大于1.0×10
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 19199-2003
標(biāo)準(zhǔn)名稱：半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法
英文名稱：Test method for carbon concentration of semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：2003-06-16
實(shí)施日期：2004-01-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H82元素半導(dǎo)體材料
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：被GB/T 19199-2015代替
起草單位：中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
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