檢測(cè)報(bào)告圖片模板：
檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于襯底在23℃電阻率小于0.02Ω·cm 和外延層在23℃電阻率大于0.1Ω·cm 且外延層厚度大于2μm 的n型和p型硅外延層厚度的測(cè)量;在降低精度情況下,該方法原則上也適用于測(cè)試0.5μm~2μm 之間的n型和p型外延層厚度。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 14847-2010
標(biāo)準(zhǔn)名稱：重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法
英文名稱：Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
標(biāo)準(zhǔn)類型：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
發(fā)布日期：2011-01-10
實(shí)施日期：2011-10-01
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：替代GB/T 14847-1993
起草單位：寧波立立電子股份有限公司、信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/T
發(fā)布單位：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.
免責(zé)聲明：(更多標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)先聯(lián)系客服查詢！)
1.本站標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)為非營(yíng)利性質(zhì)，僅供各行人士相互交流、學(xué)習(xí)使用，使用標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)以正式出版的版本為準(zhǔn)。
2.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，不保證文件的準(zhǔn)確性和完整性，如因使用文件造成損失，本站不承擔(dān)任何責(zé)任。
3.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，本站不承擔(dān)任何技術(shù)及版權(quán)問(wèn)題，如有相關(guān)內(nèi)容侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
