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GB/T22586-2008高溫超導(dǎo)薄膜微波表面電阻測(cè)試

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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽:

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介:本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在微波頻率下利用雙諧振器法測(cè)試超導(dǎo)體表面電阻的方法。測(cè)試目標(biāo)是在諧振頻率下Rs隨溫度的變化。本標(biāo)準(zhǔn)適用于表面電阻的測(cè)試范圍如下:———頻率:8GHz<f<30GHz———測(cè)試分辨率:0.01mΩ(f=10GHz)

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 22586-2008

標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng):高溫超導(dǎo)薄膜微波表面電阻測(cè)試

英文名稱(chēng):Measurements of microwave surface resistance of resistance of HTSC thin film

標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型:國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):作廢

發(fā)布日期:2008-12-15

實(shí)施日期:2009-05-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)(CCS):冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)(ICS):冶金>>金屬材料試驗(yàn)>>77.040.99金屬材料的其他試驗(yàn)方法

替代以下標(biāo)準(zhǔn):被GB/T 22586-2018代替

起草單位:電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、南京大學(xué)等

歸口單位:全國(guó)超導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

發(fā)布單位:國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.

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