標準簡介：本文件規(guī)定了電容?電壓法測試硅外延層載流子濃度的方法，包括汞探針電容?電壓法和無接觸電容?電壓法。本文件適用于同質(zhì)硅外延層載流子濃度的測試，測試范圍為4×1013 cm-3～8×1016 cm-3，其中硅外延層的厚度大于測試偏壓下耗盡層深度的兩倍。硅單晶拋光片和同質(zhì)碳化硅外延片載流子濃度的測試也可以參照本文件進行，其中無接觸電容?電壓法不適用于同質(zhì)碳化硅外延片載流子濃度的測試。

標準號：GB/T 14146-2021

標準名稱：硅外延層載流子濃度的測試 電容-電壓法

英文名稱：Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method

標準類型：國家標準

標準性質(zhì)：推薦性

標準狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2021-05-21

實施日期：2021-12-01

中國標準分類號（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H21金屬物理性能試驗方法

國際標準分類號（ICS）：冶金>>77.040金屬材料試驗

替代以下標準：替代GB/T 14146-2009

起草單位：南京國盛電子有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院有限責任公司、中電晶華(天津)半導體材料有限公司、有研半導體材料有限公司、河北普興電子科技股份有限公司等

歸口單位：全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC 203)、全

發(fā)布單位：國家市場監(jiān)督管理總局.