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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用干涉相襯顯微鏡非破壞性測量硅外延層堆垛層錯密度的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅外延層厚度不小于3μm、外延層晶向偏離｛111｝晶面或｛100｝晶面角度較小的試樣的堆垛層錯密度測量。當(dāng)堆垛層錯密度超過15000cm-2或當(dāng)外延層晶向與｛111｝晶面或｛100｝晶面偏離角度較大時，測量精度將有所降低。
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 14145-1993
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅外延層堆垛層錯密度測定干涉相襯顯微鏡法
英文名稱：Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference contrast microscopy
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1993-02-06
實施日期：1993-10-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H24金相檢驗方法
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：29.040.30
起草單位：上海有色金屬研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
發(fā)布單位：國家技術(shù)監(jiān)督局
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