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GB/T13539.4-2005低壓熔斷器第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

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標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介:本部分的補(bǔ)充要求適用于安裝在具有半導(dǎo)體裝置的設(shè)備上的熔斷體,熔斷體的額定電壓不超過(guò)交流1 000 V或標(biāo)稱電壓不超過(guò)直流1 500 V。如果適用,還可以用于更高的標(biāo)稱電壓的電路。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 13539.4-2005

標(biāo)準(zhǔn)名稱:低壓熔斷器 第4部分: 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

英文名稱:Low-voltage fuses--Part 4:Supplementary requirement for fuse-links for the protection of semiconductor devices

標(biāo)準(zhǔn)類型:國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):作廢

發(fā)布日期:2005-08-03

實(shí)施日期:2006-04-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(CCS):電工>>低壓電器>>K31低壓配電電器

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(ICS):電氣工程>>電工器件>>29.120.50熔斷器和其他過(guò)載保護(hù)

替代以下標(biāo)準(zhǔn):替代GB 13539.4-1992;被GB/T 13539.4-2009代替

起草單位:上海電器科學(xué)研究所

歸口單位:全國(guó)低壓電器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

發(fā)布單位:國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.

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