- N +

GB/T13539.4-2016低壓熔斷器第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

檢測(cè)報(bào)告圖片模板:

檢測(cè)報(bào)告圖片

檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽:

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介:本部分的補(bǔ)充要求適用于安裝在具有半導(dǎo)體裝置的設(shè)備上的熔斷體,該熔斷體適用于標(biāo)稱電壓不超過交流1 000 V或直流1 500 V的電路。如適用,還可用于更高的標(biāo)稱電壓的電路。?

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 13539.4-2016

標(biāo)準(zhǔn)名稱:低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

英文名稱:Low-voltage fuses—Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

標(biāo)準(zhǔn)類型:國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行

發(fā)布日期:2016-04-25

實(shí)施日期:2016-11-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(CCS):電工>>低壓電器>>K31低壓配電電器

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(ICS):電氣工程>>電工器件>>29.120.50熔斷器和其他過載保護(hù)

替代以下標(biāo)準(zhǔn):替代GB/T 13539.4-2009

起草單位:上海電器科學(xué)研究院

歸口單位:全國(guó)熔斷器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 340)

發(fā)布單位:國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.

標(biāo)準(zhǔn)文檔查詢及下載

免責(zé)聲明:(更多標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)先聯(lián)系客服查詢!)

1.本站標(biāo)準(zhǔn)庫為非營(yíng)利性質(zhì),僅供各行人士相互交流、學(xué)習(xí)使用,使用標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)以正式出版的版本為準(zhǔn)。

2.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò),不保證文件的準(zhǔn)確性和完整性,如因使用文件造成損失,本站不承擔(dān)任何責(zé)任。

3.全部標(biāo)準(zhǔn)資料均來源于網(wǎng)絡(luò),本站不承擔(dān)任何技術(shù)及版權(quán)問題,如有相關(guān)內(nèi)容侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。

返回列表
上一篇:GB/T17574.10-2003半導(dǎo)體器件集成電路第2-10部分:數(shù)字集成電路集成電路動(dòng)態(tài)讀/寫存儲(chǔ)器空白詳細(xì)規(guī)范
下一篇:返回列表