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檢測(cè)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了23℃時(shí)摻硼摻磷硅單晶電阻率和摻雜劑濃度間的換算方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于摻雜劑濃度1012～1021cm-3(電阻率0.0001~10，000Ω·cm)摻硼硅單晶和1012~5×1020cm-3(電阻率0.0002~4,000Ω·cm)摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度的換算，也可擴(kuò)展到硅中激活能與硼、磷相似的其他摻雜劑。
標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 13389-1992
標(biāo)準(zhǔn)名稱：摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
英文名稱：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：作廢
發(fā)布日期：1992-02-19
實(shí)施日期：1992-10-01
中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗(yàn)方法>>H21金屬物理性能試驗(yàn)方法
國際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)（ICS）：29.040.30
替代以下標(biāo)準(zhǔn)：被GB/T 13389-2014代替
起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布單位：國家技術(shù)監(jiān)督局
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