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GB/T13151-2005半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:晶閘管第三篇電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范

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標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 13151-2005

標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng):半導(dǎo)體器件 分立器件 第6部分:晶閘管 第三篇 電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范

英文名稱(chēng):Semiconductor devices—Discrete devices—Part 6:thyristors—Section three—Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A

標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型:國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行

發(fā)布日期:2005-03-23

實(shí)施日期:2005-10-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)(CCS):電工>>輸變電設(shè)備>>K46電力半導(dǎo)體期間、部件

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào)(ICS):電子學(xué)>>半導(dǎo)體器件>>31.080.20晶體閘流管

替代以下標(biāo)準(zhǔn):GB/T 13151-1991

起草單位:全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

歸口單位:全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

發(fā)布單位:國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫.

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