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檢測執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)信息一覽：
標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 24581-2022
標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法
英文名稱：Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method
發(fā)布部門：國家市場監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
發(fā)布日期：2022-03-09
實(shí)施日期：2022-10-01
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行/即將實(shí)施
替代標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 24581-2009
文件格式：PDF
文件頁數(shù)：9頁
起草單位：樂山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所、青海芯測科技有限公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、亞洲硅業(yè)(青海)股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半導(dǎo)體硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司、江蘇鑫華半導(dǎo)體材料科技有限公司、洛陽中硅高科技有限公司、新疆協(xié)鑫新能源材料科技有限公司、國標(biāo)(北京)檢驗(yàn)認(rèn)證有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江蘇秦烯新材料有限公司、義烏力邁新材料有限公司
起草人員：梁洪、趙曉斌、萬濤、薛心祿、魏東亮、王彬、邱艷梅、楊素心、李素青、李朋飛、趙培芝、王永濤、魏強(qiáng)、楚東旭、周延江、劉文明、劉紅、何建*、皮坤林
標(biāo)準(zhǔn)簡介：
本文件描述了用低溫傅立葉變換紅外光譜法測定硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)含量的方法。
本文件適用于硅單晶中的Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)鋁（Al)、銻（Sb)、砷（As)、硼（B)、鎵（Ga)、銦（In)和 磷（P)含量的測定，各元素的測定范圍（以原子數(shù)計(jì))為1.0×10 10 cm -3～4.1×10 14 cm -3
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